REM/EDX

(Raster Elektronen Mikroskopie)

Das Verfahren der Rasterelektronenmikroskopie ist eine seit vielen Jahren stetig weiterentwickelte Analysemethode, die ein vergrößertes Abbild der Oberfläche liefert und zusätzlich durch Analyse der in der Probe entstehenden elementabhängigen charakteristischen Röntgenstrahlung oder der Rückstreuelektronen eine ortsaufgelöste Elementanalyse gestattet (Element Mapping).

Die zu untersuchende Probe wird mit einem fokussierten Elektronenstrahl hinreichender Energie (ca. 1 keV bis 30 keV) abgerastert, das dabei entstehende Sekundärelektronensignal wird registriert und synchron mit dem Ort auf der Probe auf einem Monitor dargestellt, oder mittels elektronischer Bildverarbeitung ausgewertet. Die dabei erziehlbaren Vergrößerungen liegen typischer Weise im Bereich von 10 fach bis 50 000 fach. Bei speziell eingerichteten Geräten lassen sich Vergrößerungen von bis zu 250 000 erreichen.

Die Registrierung der Röntgenstrahlung (RMARöntgenmikrobereichsanalyse) kann mit einem Halbleiterdetektor energiedispersiv (EDX) oder mit einem Gitterspektrometer wellenlängendispersiv (WDX) erfolgen. Die Energieauflösung beträgt typisch bei EDX 120 eV bis 200 eV und bei WDX ca 3 eV bis 30 eV


Besondere Vorteile:

  • Bildgebendes Verfahren in Kombination
  • mit quantitativer Elementanalyse
  • hochvakuumtauglichkeit der Proben ausreichend
  • sehr gute Empfindlichkeit
  • EDX: Elemente ab  Z = 11 nachweisbar, ohne Detektorfenster Z = 5
  • WDX: Elemente ab  Z = 5 im Routinebetrieb nachweisbar

  • Laterale Auflösung: REM:  ca  5 nm
  • Tiefenauflösung: ca.1 nm bis 5 µm, abhängig von der Strahlspannung und dem Probenmaterial
  • Nachweisgrenze: EDX:   ca. 1000 ppm
  • Quantifizierbarkeit: +/- 5 % (Standardabweichung) bei Verwendung von Referenzproben

Anwendungsbereiche:

  • Oberflächenabbildung, Topografie
  • Elementanalyse
  • Elementmapping

Probenbeschaffenheit:

  • elektrisch leitende Proben
  • nichtleitende Proben müssen leitfähig bedampft werden (z.B. mit C oder Pt)
  • Proben müssen nur HV-kompatibel sein
  • Größere Proben können vor Ort entsprechend präpariert werden.
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Entwicklungsbegleitende Analytik

2

Werkstoff- und Materialanalysen

3

Fehler- und Schadensfälle

4

Qualitätskontrollen

5

Oberflächen- und Grenzflächenanalysen

6

Mikrobereichsanalysen

7

Untersuchung von Beschichtungen

8

Analyse von Schichtsystemen

  • Das machen wir

    Das Verbundzentrum für Oberflächen- und Mikrobereichsanalysen (VOM) in Münster ist Ihr Ansprechpartner für die Bereiche Physik, Chemie, Medizin und Biowissenschaften.

    Wir lösen Problemstellungen aus der Forschungs- und Entwicklungsabteilung der Industrie.

     

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