(Transmission Electron Microscopy)

Bei der Transmissionselektronenmikroskopie wird die Probe mit einem hochenergetischen Elektronenstrahl (50 - 120 keV) durchstrahlt. Die transmittierten Elektronen werden mit einem elektronenoptischen Sytem auf einen Leuchtschirm fokussiert und erzeugen dort ein extrem vergrößertes Abbild der durchstrahlten Probe.

Ebenso ist es möglich mit dem fokussierten Primärelektronenstrahl ein Elektronenbeugungsbild zu erzeugen, welches Aussagen über die Kristallstruktur der untersuchten Probenbereiche erlaubt.   

Der fokussierte Primärelektronenstrahl kann auch rasterförmig über die Probe geführt werden (STEM), was u.a. zusätzlich durch Analyse der in der Probe erzeugten Röntgenstrahlung eine ortsaufgelöste Elementanalyse erlaubt.

Besondere Vorteile:

• Hochauflösendes, bildgebendes Verfahren
• Struktur- und Elementanalysen bei kleinsten Probenvolumina
• Hochvakuumtauglichkeit der Proben ausreichend

• Laterale Auflösung: < 0,1 nm (spezielle kristalline Proben) 
• Feinbereichsbeugung: 1 µm x 1 µm Probenfläche
• Mikrobereichsbeugung: von 20 nm x 20 nm Probenfläche möglich
• Tiefenauflösung:  abhängig von der Dicke der Proben 20 – 50 nm

Anwendungsbereiche:

• Hochauflösende Bildgebung, Strukturabbildung
• Ermitteln von Kristallstruktur und Kristalldefekten
• Bestimmung von Stapelfehlern, Versetzungen
• Ermitteln von Zwillingsbildung und Texturen
• Elementanalyse und Elementmapping

Probenbeschaffenheit:

• Proben brauchen nur HV-kompatibel sein
• Größere Proben werden vor Ort entsprechend präpariert, Ultramikrotomie
• Die Probenpräparation ist in der Regel sehr aufwändig